SIRS5100DP-T1-GE3, MOSFETs MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041136034
- Артикул
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- SIRS
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 411,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Vishay - это N-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | SIRS |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | SO-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 102nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 225A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0025Ω |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.5 мОм |