Моя заявка (0)

SiRS4302DP-T1-GE3, MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V

SiRS4302DP-T1-GE3, MOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 0.57 mohm a. 10V, 0.83 mohm a. 4.5V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029004951
Артикул
SiRS4302DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.07
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 307,25 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это N-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.07
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSO-8
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current478 A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.57 мОм

Техническая документация