SIRC18DP-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004729484
- Артикул
- SIRC18DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 21 ns
Цена по запросу
(от 189,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 111 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 54.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -16 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 850 uOhms |