SIRC16DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062545210
- Артикул
- SIRC16DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.15 mm
- Серия
- SIR
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SIR |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 12 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 105 nC |
| Время нарастания | 36 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 54.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 960 uOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 67 S |