SIRC04DP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 60 A, 0.00205 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000971260
- Артикул
- SIRC04DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 3
- Серия
- SIR
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Серия | SIR |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 16.6 nC |
| Время нарастания | 55 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Крутизна характеристики, S | 140 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, - 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 140 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00205 Ом |