SIRB40DP-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006226684
- Артикул
- SIRB40DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 96 ns
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 194,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay Integrated MOSFET Solutions объединяют компоненты в единый монолитный чип для повышения удельной мощности и эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на изготовление спецификации. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 96 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.51 |
| Power - Max | 46.2W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 93 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 46.2 W |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 76 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.25 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 46.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |