SIRA90DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025882201
- Артикул
- SIRA90DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 209,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.15 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +15 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.3mΩ |