SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047848
- Артикул
- SIRA90DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- SIR
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 230,07 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SIR |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 6.25W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 48nC@10V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 10.18nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 65.8A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 153 nC |
| Время нарастания | 16 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 306pF@15V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 uOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 110 S |