SIRA84BDP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 56A; Idm: 150A; 23W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070109690
- Артикул
- SIRA84BDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 68,48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 36Вт |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 36 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20.7 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Qg - заряд затвора | 20.7 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.1 mΩ |
| Время нарастания | 5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0033Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 70А |
| Рассеиваемая Мощность | 36Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0033Ом |