SIRA66DP-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024360113
- Артикул
- SIRA66DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.51
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |