SIRA64DP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 60 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046436384
- Артикул
- SIRA64DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SIR
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Tradename:
- TrenchFET, PowerPAK
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SIR |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 27.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0018 Ом |