SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017626380
- Артикул
- SIRA60DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- SIR
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Tradename
- TrenchFET, PowerPAK
Цена по запросу
(от 130,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | SIR |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFET |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Product Category | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 57W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.65nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.94mΩ@10V, 20A |