Моя заявка (0)

SIRA54DP-T1-GE3, SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com

SIRA54DP-T1-GE3, SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002263111
Артикул
SIRA54DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 370 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Транзистор N-CH 40V 60A 8-контактный PowerPak SO EP T/R - Arrow.com

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width5.89
Package Length4.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK SO EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураN-Channel
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)7
Typical Rise Time (ns)8
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)4400
Typical Gate Charge @ 10V (nC)69
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)69@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)8
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)28
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.3
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)60
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)5300@20V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)2.35@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация