Dual Silicon N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030993498
- Артикул
- SiRA54ADP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 326,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Vishay N-channel TrenchFET 4-го поколения не содержит свинца и галогенов. Это устройство с одной конфигурацией, которое используется для синxронного выпрямления и управления электроприводом.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 5.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 98 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 128 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 128 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |