Моя заявка (0)

SIRA52ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A

SIRA52ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050094309
Артикул
SIRA52ADP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 242,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.

Технические параметры

Вес, г1

Техническая документация