Моя заявка (0)
SIRA26DP-T1-RE3, MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070068587
Артикул
SIRA26DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SIR
Fall Time:
8 ns
Rise Time:
23 ns
Цена по запросу
(от 91,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® поколения IV МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® поколения IV в корпусаx PowerPak ® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким коэффициентом усиления (вкл.), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak ® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SIR
Fall Time:8 ns
Rise Time:23 ns
Tradename:TrenchFET, PowerPAK
Вес, г0.51
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:43.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:30.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.15 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000