Моя заявка (0)

SIRA20DDP-T1-UE3,Power MOSFET, N Channel, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SIRA20DDP-T1-UE3,Power MOSFET, N Channel, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059563180
Артикул
SIRA20DDP-T1-UE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Цена по запросу
(от 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StylePowerPAK SO
Особенности-
Drain Source Voltage Vds25V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id337A
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А337
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт104W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)610µohm

Техническая документация