TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRA20BDP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016277036
- Артикул
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 413,91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный транзистор Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 25 В. 100 % Rg и UIS протестированы
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 104Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 6.3W |
| Особенности | TrenchFET |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 54nC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.95nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 335A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00058 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 480мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 335 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 230pF@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 335А |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 480мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 335 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |