SIRA18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070068306
- Артикул
- SIRA18DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- SIR
- Fall Time
- 5 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 71,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | SIR |
| Fall Time | 5 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 9 ns |
| Tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SIR |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 21.5 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5 ns |
| Pd - Power Dissipation | 14.7 W |
| Power Dissipation (Pd) | 3.3W;14.7W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V, -16 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21.5nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 33A |
| Id - Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 54 S |
| Qg - заряд затвора | 21.5 nC |
| Время нарастания | 9 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 14.7 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 54 S |