SIRA18BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881961
- Артикул
- SIRA18BDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 17Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 53,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 17Вт |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;17W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 680pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 19A;40A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0055Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 17Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0055Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.83mΩ@10A, 10V |