SIRA18ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642119
- Артикул
- SIRA18ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® SO8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 65,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Case | PowerPAK® SO8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SIR |
| Gate charge | 21.5nC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Drain current | 24.5A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power Dissipation | 14.7Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -16…20V |
| On-state resistance | 13.5mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 70A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 14.7W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21.5nC@10V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30.6A |
| Drain Source On State Resistance | 0.007Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 30.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.7mΩ@10A, 10V |