SIRA14DP-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.00425 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038453798
- Артикул
- SIRA14DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.12
Цена по запросу
(от 127 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.12 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SIR |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 31.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Время нарастания | 8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 31.2 W |
| Другие названия товара № | SIRA14DP-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 58 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00425 Ом |