SIRA14DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025882167
- Артикул
- SIRA14DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.12
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.12 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 31.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |