SIRA14BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070091728
- Артикул
- SIRA14BDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 6.6 nC
- V(DS)
- 30 V
- P(tot)
- 36 W
- Package
- PPAK SO-8
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 6.6 nC |
| V(DS) | 30 V |
| P(tot) | 36 W |
| Package | PPAK SO-8 |
| R(thJC) | 3.5 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N Channel |
| Configuration | N-CH |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 21 A |
| Power Dissipation | 36Вт |
| Power Dissipation (Pd) | 3.7W;36W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 917pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 21A;64A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0037Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 64А |
| Рассеиваемая Мощность | 36Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0037Ом |