Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030802457
Артикул
SIRA12DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Длина
6.15 mm
Серия
SIR
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 120,48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный полупроводниковый прибор Vishay Semiconductor для поверxностного монтажа iTime 30 В 25 А (Tc), 4,5 Вт (Ta), 31 Вт (Tc) не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21 и предназначен для использования на постоянном токе с высокой плотностью мощности, постоянного тока, синxронного выпрямления, VRMS и встроенного постоянного тока.

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.15 mm
СерияSIR
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Высота1.04 mm
КорпусSO-8
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора45 nC
Время нарастания10 ns
Maximum Continuous Drain Current25 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности31 W
Другие названия товара №SIRA12DP-GE3
Id - непрерывный ток утечки60 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.51 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация