Моя заявка (0)

SIRA12BDP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 59A; Idm: 150A; 24W

SIRA12BDP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 59A; Idm: 150A; 24W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070073115
Артикул
SIRA12BDP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Серия
SIR
Channel Type
N Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 99,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

Вес, г1
СерияSIR
Channel TypeN Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation38Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора21 nC
Время нарастания20 ns
Drain Source On State Resistance0.0027Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока60А
Рассеиваемая Мощность38Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Pd - рассеивание мощности38 W
Id - непрерывный ток утечки60 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения15 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0027Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.67 S

Техническая документация