Моя заявка (0)

SIRA10DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W

SIRA10DP-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025882195
Артикул
SIRA10DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Длина
6.15 mm
Серия
SIR
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 126 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

Вес, г1
Длина6.15 mm
СерияSIR
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Высота1.04 mm
Ширина5.15 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
ОсобенностиTrenchFET
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора51 nC
Время нарастания10 ns
Maximum Continuous Drain Current60 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности40 W
Другие названия товара №SIRA10DP-GE3
Id - непрерывный ток утечки60 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения27 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.52 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация