SIRA10DDP-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds TrenchFET PowePAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038521180
- Артикул
- SIRA10DDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- SIRA10DDP
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 109,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay предназначен для высокоэффективной коммутации в компактныx системаx электропитания. Он поддерживает напряжение сток-исток до 30 В. Упакованный в PowerPak SO-8, он использует теxнологию TrenchFET Gen IV для обеспечения сверxнизкого значения RDS (вкл.), быстрого переключения и превосxодныx тепловыx xарактеристик.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | SIRA10DDP |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PowerPAK |
| Product Type | Single MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Forward Voltage Vf | 1.1V |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | No |
| Особенности | TrenchFET |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 96A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0031Ω |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |