SIRA10BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017657950
- Артикул
- SIRA10BDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- SIR
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 92,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SIR |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 24.1 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 68 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |