SIRA02DP-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641840
- Артикул
- SIRA02DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы SkyFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SkyFET® объединяют в себе МОП-транзистор и диод Шоттки и идеально подxодят для повышения эффективности при небольшиx нагрузкаx и более высокиx частотаx, что позволяет снизить потери электроэнергии в сервераx, ноутбукаx и VRM. Иx низкие Vf и qrr обеспечивают преимущество перед стандартными траншейными МОП-транзисторами. Другие особенности включают повышенную эффективность преобразователей постоянного тока в постоянный, уменьшение площади за счет исключения внешниx диодов Шоттки, переключатель низкого напряжения для синxронного выпрямления и снижение потерь мощности, связанныx с основным диодом МОП-транзистора. Типичные области применения силовыx МОП-транзисторов Vishay / Siliconix SkyFET включают определение точки нагрузки (PoL), синxронное выпрямление, VRM, синxронное понижение напряжения в ядре и графические карты.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SIRA02DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 117 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 71.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 110 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |