SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600681
- Артикул
- SIRA00DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 212,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 6.25W;104W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 147 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 220nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.7nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1mΩ@10V, 20A |