SIR878BDP-T1-RE3, MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513301
- Артикул
- SIR878BDP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 6 ns
- Вес, г
- 0.07
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 24.8 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12 mOhms |