SIR876BDP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070042367
- Артикул
- SIR876BDP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 160,28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный транзистор Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 100 В. Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 71.4Вт |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0108 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.009Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 51.4 A |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 51.4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |