SIR873DP-T1-GE3, Транзисторы и сборки MOSFET POWERPAKSO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038282002
- Артикул
- SIR873DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 31.8 nC
- V(DS)
- 150 V
- P(tot)
- 104 W
- Package
- PPAK SO-8
Цена по запросу
(от 193,46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 31.8 nC |
| V(DS) | 150 V |
| P(tot) | 104 W |
| Package | PPAK SO-8 |
| R(thJC) | 0.9 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Корпус | POWERPAKSO8 |
| Configuration | P-CH |
| RDS(on)at 10V | 39.5 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 29 A |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 104W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 48nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.805nF@75V |
| Continuous Drain Current (Id) | 37A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 47.5mΩ@10A, 10V |