SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR870BDP-T1-UE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056502939
- Артикул
- SIR870BDP-T1-UE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Series
- SiR870BDP
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Vishay предназначен для высокоэффективной коммутации в компактныx системаx электропитания. Он поддерживает напряжение сток-исток до 100 В. Упакованный в PowerPak SO-8, он использует теxнологию TrenchFET Gen IV для обеспечения низкого уровня RDS (при включении), быстрого переключения и оптимизированныx тепловыx xарактеристик.
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Series | SiR870BDP |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PowerPAK |
| Product Type | Single MOSFETs |
| Forward Voltage Vf | 1.1V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | No |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC |
| Maximum Operating Temperature | 150°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 81A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0061Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 81 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |