SIR870BDP-T1-RE3, MOSFETs N-CHANNEL 100 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641838
- Артикул
- SIR870BDP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 100Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 257,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 100Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0048Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 81А |
| Рассеиваемая Мощность | 100Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0048Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0048 Ом |