Моя заявка (0)

SIR870ADP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SIR870ADP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8938343017
Артикул
SIR870ADP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5.26mm
Pin Count
8
Вес, г
0.51
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 404 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width5.26mm
Pin Count8
Вес, г0.51
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation104 W
Typical Gate Charge @ Vgs53.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Drain Source Resistance10.5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current60 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0055 Ом

Техническая документация