SIR836DP-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026980074
- Артикул
- SIR836DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SIR836DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 15.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |