SIR802DP-T1-GE3-VB, 30V 100A 250W 1.8m-@10V,32A 2.5V@250uA N Channel PDFN-8(5x6) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015915263
- Артикул
- SIR802DP-T1-GE3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 250W
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 100 А 250 Вт 1.8mOhm@10V,32A 2.5V@250uA N-канальные МОП-транзисторы PDFN-8(5x6) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8mΩ@10V, 32A |