SIR800ADP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 20 V, 177 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO-8S, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046436277
- Артикул
- SIR800ADP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.074
- Серия
- SIR
- Корпус
- SO-8
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 161 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds;12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.074 |
| Серия | SIR |
| Корпус | SO-8 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 53 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 177 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 177 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00112 Ом |