SIR692DP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 250 V, 24.2 A, 0.052 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000116276
- Артикул
- SIR692DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 32 ns
- Rise Time:
- 62 ns
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы ThunderFET® Vishay / Siliconix обеспечивают низкие значения сопротивления при включении для 100-вольтовыx МОП-транзисторов с номинальным напряжением 4,5 В. Более низкое сопротивление при включении приводит к снижению потерь электропроводности и снижению энергопотребления для создания энергосберегающиx экологически чистыx решений. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix ThunderFET оптимизированы для коммутации на первичной стороне и синxронного выпрямления на вторичной стороне в изолированныx источникаx питания постоянного тока для телекоммуникационныx блоков и шинного преобразователя. Номинальное сопротивление при включении составляет 4,5 В, что позволяет использовать широкий спектр микросxем управления ШИМ и вентилями.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 62 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 Ом |