TrenchFET Dual P-Channel MOSFET, 71.9 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR681DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043655500
- Артикул
- SiR681DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type:
- P-Channel 80 V(D-S)MOSFET
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Product:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал транзистора Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор напряжением 80 В.
Технические параметры
| Type: | P-Channel 80 V(D-S)MOSFET |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Product: | MOSFETs |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 14 ns, 47 ns |
| Rise Time: | 11 ns, 91 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 31.7 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns, 40 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns, 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 71.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0112 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 71.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 71.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |