Моя заявка (0)
SIR680LDP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038581474
Артикул
SIR680LDP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Package Type
PowerPAK SO-8
Цена по запросу
(от 381,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay напряжением 80 В (D-S) имеет тип корпуса PowerPak SO-8 с током стока 130 А. Силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation104Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Gate Threshold Voltage1 → 2.5V
Maximum Drain Source Resistance0.00233 Ω
Drain Source On State Resistance0.00233Ом
Maximum Continuous Drain Current130 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока130А
Рассеиваемая Мощность104Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00233Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт66.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00233 Ом

Техническая документация