Моя заявка (0)
SIR680DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070086656
Артикул
SIR680DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5.26mm
Series
TrenchFETВ® Gen IV
FET Type
N-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Цена по запросу
(от 296,20 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 80 В, 100 А, POWERPAK SO; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 100 А; Напряжение источника стока Vds: 80 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0024 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3.

Технические параметры

Width5.26mm
SeriesTrenchFETВ® Gen IV
FET TypeN-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Pin Count8
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
FET Feature-
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerVishay Siliconix
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
Package / CasePowerPAKВ® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 250ВµA
Forward Diode Voltage1.1V
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9 mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)104W(Tc)
Supplier Device PackagePowerPAKВ® SO-8
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation104 W
Typical Gate Charge @ Vgs69.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81nC @ 7.5V
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Maximum Gate Threshold Voltage3.4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance3.4 mΩ
Maximum Continuous Drain Current100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5150pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C100A(Tc)

Техническая документация