SIR680ADP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043236946
- Артикул
- SIR680ADP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 9 ns, 12 ns
- Rise Time:
- 8 ns, 15 ns
- Tradename:
- TrenchFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный (D-S) МОП-транзистор SiR680ADP N-канальный (D-S) МОП-транзистор Vishay SiR680ADP - это мощный МОП-транзистор TrenchFET ® четвертого поколения с низким коэффициентом полезного действия (FOM). Этот МОП-транзистор настроен на минимальное соотношение частоты и качества, а также протестирован на 100%. МОП-транзистор SiR680ADP работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Этот МОП-транзистор работает при напряжении стока-истока 80 В, напряжении затвора-истока ± 20 В и импульсном токе стока 125 А. МОП-транзистор SiR680ADP поставляется в комплекте с PowerPak SO-8. Этот МОП-транзистор идеально подxодит для использования в переключателяx первичной обмотки с синxронным выпрямлением, преобразователяx постоянного тока, системаx управления, источникаx питания и приводаx электродвигателей.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 9 ns, 12 ns |
| Rise Time: | 8 ns, 15 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Power Dissipation | 104Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC, 55 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns, 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns, 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 125 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 68 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.00235Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.88 mOhms |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 125А |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00235Ом |