Моя заявка (0)
SIR668DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062330231
Артикул
SIR668DP-T1-RE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
5.26mm
Series
TrenchFET
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width5.26mm
SeriesTrenchFET
Pin Count8
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8
Mounting TypeSurface Mount
Forward Diode Voltage1.1V
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation104 W
Typical Gate Charge @ Vgs72 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3.4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance5.05 mΩ
Maximum Continuous Drain Current65 A

Техническая документация