TrenchFET N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR668DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023521186
- Артикул
- SIR668DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 580 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.05 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |