SIR668DP-T1-RE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000155290
- Артикул
- SIR668DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 409 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.05 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.004 Ом |