SIR662DP-T1-GE3-JSM, DFN5060-8L MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381075
- Артикул
- SIR662DP-T1-GE3-JSM
- Бренд
- JSMicro Semiconductor Co., Ltd
- Вес, г
- 0.15
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
- Пороговое напряжение на затворе
- 3V@250uA
Цена по запросу
(от 168,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5mΩ@16A, 10V |