SIR632DP-T1-RE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025882086
- Артикул
- SIR632DP-T1-RE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.26mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 5.26mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 69.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |